|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучениев GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазонастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 апреля 2020 г.
- Авторы: Кривобок В.С., Литвинов Д.А., Николаев С.Н., Онищенко Е.Е., Пашкеев Д.А., Чернопицский М.А., Григорьева Л.Н.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 53
- Номер: 12
- Год издания: 2019
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 1632
- Последняя страница: 1640
- Аннотация: С помощью молекулярно-пучковой эпитаксии получена серия нелегированных GaAs/AlxGa1−xAs- гетероструктур с множественными квантовыми ямами, легированные аналоги которых используются при создании фотоприемников на спектральный диапазон 8−12 мкм. Для выращенных гетероструктур установлено спектральное положение линий поглощения, соответствующих разрешенным переходам между электронными и дырочными уровнями размерного квантования в GaAs-слоях. Исследовано влияние примесно-дефектных состояний на спектры люминесценции и поглощения квантовых ям. Определены величины экситонных поправок для разрешенных переходов в зависимости от ширины квантовой ямы и содержания алюминия в барьерных слоях. Обсуждается роль экситонных эффектов при восстановлении структуры одноэлектронных состояний по спектрам межзонного поглощения (возбуждения люминесценции), а также связь этих состояний с рабочим диапазоном ИК-фотоприемников на основе GaAs/AlxGa1−xAs- квантовых ям.
- Добавил в систему: Григорьева Людмила Николаевна