Epitaxial variant structures of the perovskite manganites with the high tunnel magnetoresistance

Gorbenko, O.Y.; Kaul, A.R.; Kamenev, A.A.; Melnikov, O.V.; Graboy, I.E.; Babushkina, N.A.; Taldenkov, A.N.; Inyushkin, A.V.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Авторы: Gorbenko O.Yu, Kaul A.R., Kamenev A.A., Melnikov O.V., Graboy I.E., Babushkina N.A., Taldenkov A.N., Inyushkin A.V.
Журнал: Journal of Crystal Growth
Том: 275
Год издания: 2005
Издательство: Elsevier BV
Местоположение издательства: Netherlands
Первая страница: 2453
Последняя страница: 2458
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.357
Аннотация: We have found that single-crystal substrates of ZrO2(Y2O3) with (0 0 1) and (1 1 1) orientation are suitable for the growth of (1 1 0) perovskite films of La0.7Ca0.3MnO3, La0.7Sr0.3MnO3 and La1xMnO3 (x ¼ 0.1–0.25) with the in-plane variant structure. The orientation types and crystallographic domains were determined by X-ray diffraction and highresolution TEM. Special high-angle boundaries formed between the nanodomains of the epitaxial variants result in the high tunnel magnetoresistance (above 15% at 77 K and 0.1 T). The magnetic reversal transition was also detected in the field below 0.01 T, the sharpness of the transition was found to be very sensitive to the film microstructure. Furtherenhancement of the magnetoresistance was achieved in the heterostructures including perovskite manganite and ferrimagneticinsulating oxide layers.
Добавил в систему: Кауль Андрей Рафаилович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Epitaxial variant structures of the perovskite manganites with the high tunnel magnetoresistanceстатья

Прикрепленные файлы