Determination of the Free Charge Carrier Concentration in Boron-Doped Silicon Nanowires Using Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopy

Липкова, Е.А.; Ефимова, А.И.; Гончар, К.А.; Преснов, Д.Е.; Елисеев, А.А.; Лапшин, А.Н.; Тимошенко, В.Ю.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 декабря 2019 г.

Авторы: Липкова Е.А., Ефимова А.И., Гончар К.А., Преснов Д.Е., Елисеев А.А., Лапшин А.Н., Тимошенко В.Ю.
Журнал: Semiconductors
Том: 53
Номер: 11
Год издания: 2019
Издательство: Springer
Местоположение издательства: New York
Первая страница: 1557
Последняя страница: 1561
DOI: 10.1134/S1063782619110113
Аннотация: Attenuated total reflection infrared spectroscopy is used to determine the free charge carrier concentrationin arrays of silicon nanowires with characteristic transverse sizes of 50–100 nm and a length of theorder of 10 μm formed on lightly doped crystalline p-type silicon by metal-assisted chemical etching and subjectedto the additional thermal-diffusion doping of boron at temperatures of 850–1000°C. It is found thatthe free hole concentration in arrays varies from 5 × 1018 to 3 × 1019 cm–3 depending on the annealing temperatureand is maximal at temperatures of 900–950°C. These results can be used to extend the range ofpotential application of silicon nanowires in photonics, sensorics, and thermoelectric power converters.
Добавил в систему: Ефимова Александра Ивановна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Determination of the Free Charge Carrier Concentration in Boron-Doped Silicon Nanowires Using Attenuated Total Reflection Infrared Spectroscopyстатья

Прикрепленные файлы