Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2-200 eV

Палов, А.П.; Zhang, J.; Baklanov, M.; Wei, S.

Авторы: Палов А.П., Zhang J., Baklanov M., Wei Sh
Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
Том: 45
Номер: 23
Год издания: 2019
Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 19
Последняя страница: 22
DOI: 10.21883/PJTF.2019.23.48713.17955
Аннотация: Бинарные межатомные потенциалы F-F, F-Si, F-O, F-C и F-H рассчитаны из первых принципов ( ab initio) на основе многоконфигурационного метода самосогласованного поля (CAS-SCF) с базисным набором атомных волновых функций aug-pp-AV6Z и использованы для расчета сдвигов фаз и сечений упругого рассеяния атомов в диапазоне относительных кинетических энергий 2-200 eV. Ожидается, что полученные сечения упругого рассеяния будут полезны для описания распыления и травления пористых органосиликатных пленок с этиленовыми мостиками, используемых в современной наноэлектронике. Ключевые слова: распыление, травление, фтор, органосиликатные стекла.
Добавил в систему: Палов Александр Петрович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2-200 eVстатья

Прикрепленные файлы