Влияние кассетной кристаллизации на структуру и свойства выращиваемых пластин халькогенидов

Простомолотов, А.И.; Бублик, В.Т.; Верезуб, Н.А.; Воронин, А.И.; Табачкова, Н.Ю.

Авторы: Простомолотов А.И., Бублик В.Т., Верезуб Н.А., Воронин А.И., Табачкова Н.Ю.
Сборник: Тезисы докладов VIII-й Международной конференции “Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов”, 5-8 ноября 2019 г
Тезисы
Год издания: 2019
Место издания: НИТУ "МИСиС" Москва
Первая страница: 185
Последняя страница: 185
DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/DefMater.164
Аннотация: Основной проблемой, возникающей при кассетном выращивании пластин термоэлектрического материала [1], является неустойчивость роста поликристалла, которая проявляется в виде дендритного роста. В этом случае возникает химическая и фазовая микро-неоднородность, которая не только отрицательно сказывается на уровне и однородности термоэлектрических параметров, но и на механических свойствах получаемых пластин, приводя к их разрушению в процессе вырезки из них элементов термобатарей. Основной технологической целью является получение достаточно однородных пластин термоэлектрического материала и обладающих благоприятной текстурой для реализации анизотропии электрофизических свойств характерной для ромбоэдрической кристаллической решетки. Однородность слитков по длине и периметру и четкая текстура материала, при которой плоскости базиса располагаются параллельно оси роста, обеспечивают не только хорошие термоэлектрические свойства, но и достаточную прочность получаемого материала. В то время как дендритный тип кристаллизации характеризуется случайными кристаллографическими ориентировками кристаллов по отношению к оси роста. Поэтому основной задачей является подавление ликвации при выращивании слитков ТЭМ и получение высокой воспроизводимости термоэлектрических свойств в выращенных поликристаллических пластинах. Пластины термоэлектрических материалов n и р-типа проводимости на основе тройных твердых растворов Bi2Te3-XSeX и BiXSb2-XTe3 были получены кассетной кристаллизацией из расплава. Скорость кристаллизации изменяли от 1.2 мм/мин до 0.15 мм/мин. Математическое моделирования тепловых процессов в кассете показало, что при достаточно быстром снижении нагревательной мощности может происходить смена устойчивого вертикального градиента температуры в кассете на неустойчивый профиль, что вызывает конвективное движение, существенно искривляющее форму фронта кристаллизации, а последнее способствует возникновению дендритного роста. Рентгено-дифрактометрический контроль однородности состава проведен по длине и сечению образцов для измерения параметра решетки и анализа структуры образцов по уширению дифракционных линий. С помощью построения прямых полюсных фигур исследована ориентация плоскостей спайности относительно плоскости пластины и оси роста. Дана рентгеноструктурная оценка формы фронта кристаллизации. Измерение термоэлектрических свойств проведено методом Хармана. 1. Белов Ю.М. и др. // Патент РФ, № 2402111. 20.10.2010. 15 c.
Добавил в систему: Верезуб Наталия Анатольевна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Влияние кассетной кристаллизации на структуру и свойства выращиваемых пластин халькогенидовтезисы доклада

Прикрепленные файлы