Аннотация:Проведены измерения магнитосопротивления в квазидвумерном проводнике TbTe3 с волной зарядо-
вой плотности (ВЗП) в широком интервале температур и в магнитных полях до 17 Тл. При температуре,
значительно ниже температуры пайерлсовского перехода, и в больших магнитных полях магнитосопро-
тивление демонстрирует линейную зависимость от магнитного поля, обусловленную рассеянием нор-
мальных носителей на “горячих” точках поверхности Ферми. В режиме движущейся ВЗП в слабых
магнитных полях наблюдается качественное изменение магнитосопротивления, связанное с сильным
рассеянием носителей на скользящей ВЗП.
