|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследование одноэлектронного спектра GaAs/AlGaAs-гетероструктуры для фотодетекторов среднего ИК-диапазона с помощью измерений низкотемпературной люминесценциистатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 октября 2021 г.
- Авторы: Литвинов Д.А., Пашкеев Д.А., Григорьева Л.Н., Колосов С.А., Аминев Д.Ф.
- Журнал: Краткие сообщения по физике
- Том: 47
- Номер: 4
- Год издания: 2020
- Издательство: Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 9
- Последняя страница: 16
- DOI: 10.3103/S1068335620040041
- Аннотация: На основе измерений низкотемпературной фотолюминесценции продемонстрирована роль размытия интерфейсов и внедрения фоновых примесей при формировании одноэлектронного спектра гетероструктур GaAs/AlxGa1-xAs с квантовыми ямами, используемых для изготовления фотоприемных устройств среднего ИК диапазона. Показано, что фоновые примеси, заметно влияя на спектр излучения квантовых ям, практически не сказываются на их спектрах поглощения (возбуждения люминесценции). В то же время размытие интерфейса, слабо проявляясь в люминесценции, тем не менее, заметно искажает структуру одноэлектронных состояний. Предложен метод, позволяющий оценить степень размытия интерфейсов квантовых ям для фотоприемных устройств по спектрам возбуждения их экситонной люминесценции.
- Добавил в систему: Григорьева Людмила Николаевна