|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Исследование фотоэлектромагнитного эффекта в топологических изоляторах (Bi1-xSbx)2Te3статья
- Авторы: Галеева А.В., Гоманько М.А., Тамм М.Е., Яшина Л.В., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
- Сборник: Труды XXIII Международного симпозиума Нанофизика и Наноэлектроника
- Том: 2
- Год издания: 2019
- Место издания: Издательство Нижегородского гос. университета им. Н.И. Лобачевского Нижний Новгород
- Первая страница: 632
- Последняя страница: 633
- Добавил в систему: Галеева Александра Викторовна
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|