Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Исследование фотоэлектромагнитного эффекта в топологических изоляторах (Bi1-xSbx)2Te3
статья
Авторы:
Галеева А.В.
,
Гоманько М.А.
,
Тамм М.Е.
,
Яшина Л.В.
,
Данилов С.Н.
,
Рябова Л.И.
,
Хохлов Д.Р.
Сборник:
Труды XXIII Международного симпозиума Нанофизика и Наноэлектроника
Том:
2
Год издания:
2019
Место издания:
Издательство Нижегородского гос. университета им. Н.И. Лобачевского Нижний Новгород
Первая страница:
632
Последняя страница:
633
Добавил в систему:
Галеева Александра Викторовна
Прикрепленные файлы
№
Имя
Описание
Имя файла
Размер
Добавлен