|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Effect of high-temperature annealing on the electrical and photoelectrical properties of compensated a-Si:H films containing boron and fluorineстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kurova I.A., Miroshnik O.N., Ormont N.N.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 30
- Номер: 4
- Год издания: 1996
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 391
- Последняя страница: 392
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна