|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние центров прилипания на релаксацию электролюминесценции в SiC (6 H )статья
- Авторы: Воронин В.Г., Глухарев А.А., Павличенко В.И., Пронин Б.В., Рыжиков И.В., Сулейманов Ю.М.
- Сборник: Электронаная техника. Полупроводниковые приборы ,вып. 3 ( 53 )
- Серия: 2
- Год издания: 1970
- Место издания: г. Москва
- Первая страница: 24
- Последняя страница: 30
- Добавил в систему: Воронин Владимир Григорьевич