|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Synthesis and doping of microcolumn diamond photoemitters with silicon-vacancy color centersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 5 сентября 2016 г.
- Авторы: Sovyk D.N., Shershulin V.A., Ralchenko V.G., Khomich A.A., Komlenok M.S., Vorobyov V.V., Vlasov I.I., Akimov A.V., Pereverzev V.G., Konov V.I.
- Журнал: Bulletin of the Lebedev Physics Institute
- Том: 42
- Номер: 2
- Год издания: 2015
- Первая страница: 63
- Последняя страница: 66
- DOI: 10.3103/S1068335615020062
- Аннотация: The method of epitaxial growth of localized photoluminescence sources in the form of the ordered microcolumn diamond structures with silicon-vacancy (SiV) color centers is implemented. The process is based on diamond deposition in microwave plasma in CH4-H-2 mixtures in microwells in a silicon mask on a diamond single crystal substrate, where the Si mask itself is a silicon doping source. Strong photoluminescence of SiV centers at a wavelength of 738 nm is detected; the spatial distribution of luminescence completely coincides with the synthesized structure arrangement.
- Добавил в систему: Конов Виталий Иванович