|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Changes of Luminescent and Electrical Properties of InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes During a Long Work at Forward Currentsстатья
- Авторы: Kovalev A.N., Kudryashov V.E., Manyakhin F.I., Turkin A.N., Yunovich A.E.
- Сборник: Proc. of the 2nd Int. Conf. on Nitride Semiconductors
- Год издания: 1997
- Место издания: Tokushima
- Первая страница: 46
- Последняя страница: 47
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович