|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Взаимосвязь изменений распределения концентрации заряженных центров и характеристик светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительном протекании прямого токастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
- Номер: 3
- Год издания: 1998
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 60
- Последняя страница: 63
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович