Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИСТИНА ИНХС РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Детектирование поверхностных электронных состояний в топологических изоляторах (Bi1−xInx)2Se3 с помощью лазерного терагерцового излучения
статья
Авторы:
Галеева А.В.
,
Егорова С.Г.
,
Черничкин В.И.
,
Румянцев В.В.
,
Тамм М.Е.
,
Яшина Л.В.
,
Данилов С.Н.
,
Рябова Л.И.
,
Хохлов Д.Р.
Журнал:
Ученые записки физического факультета Московского Университета
Номер:
3
Год издания:
2016
Первая страница:
163502
Добавил в систему:
Галеева Александра Викторовна