|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
OFET-Based Memory Devices Operating via Optically and Electrically Modulated Charge Separation between the Semiconductor and 1,2-bis(Hetaryl)ethene Dielectric Layersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 февраля 2017 г.
- Авторы: Frolova, Rezvanova LA ;., Shirinian AA ;., Lvov VZ ;., Kulikov AG ;., Krayushkin AV ;., Troshin MM ;., PA
- Журнал: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS MARCH 2016
- Том: 2
- Номер: 3
- Год издания: 2016
- Первая страница: 1500219
- Аннотация: DOI: 10.1002/aelm.201500219
- Добавил в систему: Куликов Александр Васильевич