|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Dielectric relaxation in Bi2Ti2O7 single crystalsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 6 февраля 2020 г.
- Авторы: Bush A.A., Talanov M.V., Stash A.I., Ivanov S.A., Kamentsev K.
- Журнал: Ferroelectrics
- Том: 553
- Номер: 1
- Год издания: 2019
- Издательство: Taylor and Francis
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 60
- Последняя страница: 65
- DOI: 10.1080/00150193.2019.1683496
- Аннотация: Large impurity-free Bi2Ti2O7 single crystals were grown by slow cooling of a melt. Their crystal structure and dielectric properties as a function of temperature at different frequencies were studied for the first time. A step-like frequency-dependent anomaly was observed at a temperature of about 220 K at a frequency of 1 kHz. The relaxation behavior is well described by the empirical Vogel-Fulcher relation typical for relaxor ferroelectrics. Based on the value of fitting parameters, Bi2Ti2O7 occupies an intermediate position between the canonical relaxor PbMg1/3Nb2/3O3 on the one hand and lead-free relaxors based on BaTiO3 on the other hand. The possible mechanisms of the observed dielectric relaxation of the Bi2Ti2O7 single crystals are discussed.
- Добавил в систему: Сташ Адам Игаркович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 2. | Экспертное заключение о возможности опубликования | ekspertnoe_zaklyuchenie_790.pdf | 726,0 КБ | 4 февраля 2020 [adam_stash] |