Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурахстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 июля 2020 г.
Аннотация:Проведено исследование влияния предварительной слабой засветки при повышенных температурах на фотоэлектрические свойства нелегированных пленки a-Si:H. Установлено, что темновая проводимость и фотопроводимость пленок растут с увеличением интенсивности предварительной засветки, а параметр гамма, определяющий зависимость фотопроводимости от интенсивности освещения, уменьшается вследствие увеличения доли бимолекулярной рекомбинации электронов на энергетических уровнях хвоста плотности состояний зоны проводимости. Предположено, что это может быть обусловлено наличием неконтролируемой примеси кислорода и увеличением электрически активной концентрации кислорода в результате предварительного освещения пенки при повышенных температурах.