|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Development of high-sensitivity pressure sensor with on-chip differential transistor amplifierстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 августа 2021 г.
- Автор: Basov Mikhail
- Журнал: Journal of Micromechanics and Microengineering
- Том: 30
- Номер: 6
- Год издания: 2020
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 065001
- DOI: 10.1088/1361-6439/ab82f1
- Аннотация: A mathematical model of a high-sensitivity pressure sensor with a novel electrical circuit utilizing a piezosensitive transistor differential amplifier with negative feedback loop is presented. Circuits utilizing differential transistor amplifiers based on vertical n-p-n and lateral p-n-p transistors are analyzed and optimized for sensitivity to pressure and stability of output signal in operating temperature range. Parameters of fabrication process necessary for modeling of I–V characteristics of transistors are discussed. The results of the model are sufficiently close to the experimental data.
- Добавил в систему: Басов Михаил Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Preprint._Development_of_High-Sensitivity_Pressure_Sensor_w… | 1,1 МБ | 6 августа 2021 [BasovMikhail] |