|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Investigation of High Sensitivity Piezoresistive Pressure Sensors at Ultra-Low Differential Pressuresстатья Исследовательская статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Basov Mikhail, Prigodskiy Denis
- Журнал: IEEE Sensors Journal
- Год издания: 2020
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- DOI: 10.1109/jsen.2020.2980326
- Аннотация: The investigation of the pressure sensor chip’s design developed for operation in ultralow differential pressure ranges has been conducted. The optimum geometry of a diaphragm has been defined using available technological resources. The pres-sure sensor chip with an area of 6.15×6.15 mm has an average sensitivity S of 34.5 mV/kPa/V at nonlinearity 2KNL = 0.81 %FS and thermal hysteresis up to 0.6 %FS was created. Owing to the chip connection with stop elements, the burst pressure reaches 450 kPa. The developed pressure sensor can be used in medicine, automotive industry and highly specialized scientific developments.
- Добавил в систему: Басов Михаил Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Preprint._Investigation_of_High_Sensitivity_Piezoresistive_… | 1021,3 КБ | 6 августа 2021 [BasovMikhail] |