|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
OSCILLATIONS OF THE CHARGE IN OXIDE AT SILICON SURFACE AS AN ORIGIN OF THE PROCESS LEADING TO THE LONG-RANGE EFFECTстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 декабря 2013 г.
- Авторы: Levshunova V.L., Tetel'baum D.I., Pokhil G.P.
- Журнал: Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
- Том: 5
- Номер: 2
- Год издания: 2011
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 276
- Последняя страница: 278
- DOI: 10.1134/S1027451011030141
- Добавил в систему: Похил Григорий Павлович