Аннотация:Изобретение транзистора, произошедшее в конце 1940-х – начале 1950-х годов, произвело революцию в электронике, связанную с кардинальным изменением конструкций и технологии изготовления большой части электронных приборов, предъявлением новых требований к чистоте и однородности применяемых материалов, качеству технологического и контрольно-измерительного оборудования и т.д. Последующее развитие полупроводниковых приборов и интегральных схем, электронной вычислительной техники, построенной на новой элементной базе, стало важнейшим фактором совершенствования информационных технологий, становления постиндустриального информационного общества. Хронологически значительная часть событий транзисторной революции пришлась на период противостояния СССР и США в условиях «холодной войны», фактической блокады нашей страны от научных и технологических достижений стран Запада. Тем не менее, период с середины 1960-х до конца 1980-х гг. характеризовался интенсивным развитием полупроводниковых приборов и ростом объема их производства в стране. После распада СССР Россия оказалась в зависимости от импорта изделий полупроводниковой электроники. В настоящее время, несмотря на имеющееся отставание по техническому уровню ряда видов электронных приборов, темпы роста производства радиоэлектронного оборудования в стране выше общих темпов роста производства в России.