|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Nonmonotonic variations in the concentration of the donor-and acceptor-type radiation defects in silicon irradiated with low-intensity fluxes of β particlesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 октября 2016 г.
- Авторы: Badylevich M.V., Blokhin I.V., Golovin Yu I., Dmitrievskiǐ A.A., Kartsev S.V., Suchkova N.Yu, Tolotaev M.Yu
- Журнал: Semiconductors
- Том: 40
- Номер: 12
- Год издания: 2006
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1375
- Последняя страница: 1377
- DOI: 10.1134/S1063782606120013
- Добавил в систему: Головин Юрий Иванович