|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Особенности характеристик двойных гетероструктурных биполярных транзисторов типа n-p-n в условиях разогрева и охлаждения электронов и дырок в базестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 декабря 2020 г.
- Автор: Захарова А.А.
- Журнал: Микроэлектроника
- Том: 16
- Номер: 2
- Год издания: 1987
- Издательство: Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 140
- Последняя страница: 144
- Аннотация: Изучены особенности характеристик двойных гетероструктурных биполярных транзисторов типа n-p-n в условиях разогрева и охлаждения электронов и дырок в базе.
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна