|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Investigation of the characteristics of interband resonant tunnelling diodes with modified barriersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 декабря 2020 г.
- Авторы: Lapushkin I., Zakharova A., Gergel V.
- Сборник: Proceedings of 7th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”
- Год издания: 1999
- Место издания: St. Petersburg
- Первая страница: 276
- Последняя страница: 279
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна