Self-tuning MOCVD approach to the growth of very smooth La1-xPbxMnO3 and PbTiO3 epitaxial thin films

Bosak, A.A.; Samoylenkov, S.V.; Gorbenko, O.Y.; Graboy, I.E.; Botev, A.N.; Kaul, A.R.; Zandbergen, H.W.

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Авторы: Bosak A.A., Samoylenkov S.V., Gorbenko O.Yu, Graboy I.E., Botev A.N., Kaul A.R., Zandbergen H.W.
Журнал: Chemistry of Materials
Том: 13
Год издания: 2001
Издательство: American Chemical Society
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 981
Последняя страница: 986
DOI: 10.1021/cm001174i
Аннотация: The approach to the growth of stoichiometric lead-containing complex oxide films was developed. It was successfully used for the MOCVD of La1-xPbxMnO3 (x = 0.1−0.6) and PbTiO3 films on perovskite substrates and MgO at a deposition rate of ≈1 μm/h. The grown films were of a good epitaxial quality with rather low mean surface roughness, Sa < 2 nm (for the film thickness ≥250−600 nm). The grown manganite layers were metallic at room temperature with a Tc above 300 K. Such films are suitable for the fabrication of low-field tunnel magnetoresistance devices and thin film capacitors.
Добавил в систему: Кауль Андрей Рафаилович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Self-tuning MOCVD approach to the growth of very smooth La1-xPbxMnO3 and PbTiO3 epitaxial thin filmsстатья

Прикрепленные файлы