|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Generation of sound as a result of interaction of laser radiation with the surface of a semiconductorстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 мая 2021 г.
- Авторы: Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 23
- Номер: 11
- Год издания: 1989
- Первая страница: 1223
- Последняя страница: 1226
- Аннотация: The multiband approximation and the effective mass method are used to calculate the coefficient representing the passage of a quasiparticle above a symmetric rectangular quantum well. A calculation is reported of the current-voltage characteristic of a transistor structure with a unipolar conductivity and containing a deep rectangular quantum well. The current-voltage characteristic is shown to have falling regions both under space-charge-limited current conditions and in the emitter saturation regime.
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна