|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Fluorine-doped indium oxide (IFO) layers produced by ultrasonic spray pyrolysis as electron-selective contacts in IFO/SiO /p-Si heterojunction crystalline silicon solar cells with an open-circuit voltage of 640 mVстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 ноября 2020 г.
- Авторы: Untila G.G., Kost T.N., Chebotareva A.B.
- Журнал: Solar Energy
- Том: 207
- Год издания: 2020
- Издательство: Pergamon Press Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 825
- Последняя страница: 831
- DOI: 10.1016/j.solener.2020.07.025
- Аннотация: In this work, IFO/SiOx/(p-epi)/(p+)Cz-Si heterojunction solar cells have been fabricated by growing IFO on (p-epi)/(p+)Cz-Si epitaxial structures via ultrasonic spray pyrolysis, followed by annealing in a reducing ambient. We have examined the influence of the growth chamber/substrate preheating time (tph) before IFO growth and Si surface orientation on parameters of Suns-Voc characteristics. Optimizing tph, we have obtained an IFO/SiOx/p-Si heterojunction solar cell having an electron-selective contact and an open-circuit voltage of 640 mV, which is the highest value obtained to date for TCO/SiOx/c-Si heterojunction solar cells.
- Добавил в систему: Чеботарева Алла Борисовна