|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзисторастатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Петросянц К.О., Кожухов М.В.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Электроника
- Том: 20
- Номер: 6
- Год издания: 2015
- Издательство: Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 648
- Последняя страница: 651
- Аннотация: Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович