Аннотация:Методом импульсного лазерного осаждения из металлических мишеней при комнатной температуре на кварцевых и с-сапфировых подложках получены аморфные диэлектрические пленки WO3 с шероховатостью поверхности 4–5 нм. Исследованы спектры пропускания пленок WO3 в диапазоне от 400 до 2000 нм в зависимости от типа подложки и давления кислорода в процессе роста. Установлена зависимость параметров полученных пленок от давления кислорода в процессе роста. Пропускание пленок WO3 увеличивается от 40 до 75% в видимой и УФ-областях и от 10 до 70% в ИК-области при изменении давления кислорода в процессе роста пленок от 20 до 60 мторр. Ширина запрещенной зоны пленок WO3 меняется от 3.01 до 3.34 эВ в случае сапфировых подложек и от 2.95 до 3.42 эВ на кварцевых подложках с увеличением давления кислорода в процессе роста и слабо зависит от типа подложки. Впервые создана тонкопленочная электрохромная ячейка с жидким электролитом на основе полученной при комнатной температуре пленки WO3. Пропускание ячейки в диапазоне спектра от 300 до 900 нм уменьшается на 30% при напряжении 2.5 В за время окрашивания порядка 2 мин.