Аннотация:На сегодняшний день проблема экспериментальных исследований параметров чувствительности электроники к одиночным радиационным эффектам далека от полного решения. Существующие методы основаны на применении лазерных имитаторов и ускорителей ионов тяжелых ядер. Оба подхода не лишены недостатков, однако, в совокупности, позволяют решать задачи по исследованию и сертификации новых изделий электроники. Улучшить точности измерений, проводимых в этих исследованиях, можно, применив в испытаниях на ускорителях методы восстановления треков падающих на образец частиц.