|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНИЙ В ПОРИСТЫХ ДИЭЛЕКТРИКАХ ДЛЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ С ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ 28 НМ И НИЖЕстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 февраля 2021 г.
- Авторы: Орлов А.А., Резванов А.А., Мяконьких А.В.
- Журнал: Наноиндустрия
- Том: 96
- Номер: 3s
- Год издания: 2020
- Издательство: АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 684
- Последняя страница: 687
- DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.3s.684.687
- Аннотация: Использование газа C2F4Br2 в процессе криогенного травления low-k-диэлектрика позволяет существенно снизить повреждение материала за счет конденсации газа и продуктов травления в порах и образования защитной пленки на поверхности материала. Дополнительно исследован механизм проводимости тонких органосиликатных пленок с различным процентным содержанием метильных CH3-групп.
- Добавил в систему: Резванов Аскар Анварович