|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Modeling of the scattering mechanisms of a two-dimensional Fermi electron gas in the heterostructure InAs/AlSb/InAsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 июня 2021 г.
- Авторы: Burmistrov E.R., Afanasova M.M.
- Журнал: SN Applied Sciences
- Том: 2
- Номер: 9
- Год издания: 2020
- Номер статьи: 1532
- DOI: 10.1007/s42452-020-03273-1
- Аннотация: The article investigates the mechanism by ionized atoms carrier scattering at impurities heterostructure InAs/AlSb with two occupied subbands. The aim of the article is to develop and complement the existing theory which fully describes the quantum mechanical processes in the structure of the study. Conducted transport time calculation showed that the proposed theory accurately describes the two-dimensional carrier scattering mechanism is donor impurity ions in the active layer of InAs. It was found that the lifetime of limiting the mobility of two-dimensional carrier in scattering by impurity ions is 10−12 s.
- Добавил в систему: Бурмистров Евгений Романович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Burmistrov-Afanasova2020_Article_ModelingOfTheScatteringMec… | 1,3 МБ | 28 октября 2020 [Evgen_105] |