|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Послойный анализ тонкопленочных Si-O-Al структур методами Вторично-ионной масс-спектрометрии и Резерфордовского обратного рассеяниястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 февраля 2021 г.
- Авторы: Бачурин В.И., Мелесов Н.С., Мироненко А.А., Паршин Е.О., Рудый А.С., Симакин С.Г., Чурилов А.Б.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Номер: 4
- Год издания: 2019
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 38
- Последняя страница: 43
- DOI: 10.1134/S0207352819040024
- Добавил в систему: Бачурин Владимир Иванович