Reduction in the Photosensitivity Contrast of Inhomogeneous n+–p(n)–p+ Structures of Silicon Measured while Scanning the p–n Junction with Light. the Russian Academy of Sciences

Koshelev, O.G.

Reduction in the Photosensitivity Contrast of Inhomogeneous n+–p(n)–p+ Structures of Silicon Measured while Scanning the p–n Junction with Light. the Russian Academy of Sciencesстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 июня 2021 г.

Автор: Koshelev O.G.
Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
Том: 84
Год издания: 2020
Издательство: Allerton Press Inc.
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 44
Последняя страница: 47
DOI: 10.3103/S1062873820010141
Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Reduction in the Photosensitivity Contrast of Inhomogeneous n+–p(n)–p+ Structures of Silicon Measured while Scanning the p–n Junction with Light. the Russian Academy of Sciencesстатья