Resistive switching kinetics and second-order effects in parylene-based memristors

Matsukatova, A.N.; Emelyanov, A.V.; Minnekhanov, A.A.; Nesmelov, A.A.; Vdovichenko, A.Y.; Chvalun, S.N.; Rylkov, V.V.; Forsh, P.A.; Demin, V.A.; Kashkarov, P.K.; Kovalchuk, M.V.

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 июля 2021 г.

Авторы: Matsukatova Anna N., Emelyanov Andrey V., Minnekhanov Anton A., Nesmelov Aleksandr A., Vdovichenko Artem Yu, Chvalun Sergey N., Rylkov Vladimir V., Forsh Pavel A., Demin Viacheslav A., Kashkarov Pavel K., Kovalchuk Mikhail V.
Журнал: Applied Physics Letters
Том: 117
Номер: 24
Год издания: 2020
Издательство: AIP Publishing
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 243501
Последняя страница: 243501
DOI: 10.1063/5.0030069
Добавил в систему: Мацукатова Анна Никосовна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИСТИНА ИНХС РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИСТИНА ИНХС РАН

Resistive switching kinetics and second-order effects in parylene-based memristorsстатья