Аннотация:Представлена методика изготовления планарных высокотемпературных одноэлектронных транзисторов с применением диэлектрофореза для встраивания острова (наночастицы золота диаметром 2-4 нм) в созданные с помощью электромиграции нанозазоры между электродами транзисторов шириной 2-4 нм. Измеренные при Т=77 К вольтамперные характеристики таких наноэлементов свидетельствуют о коррелированном характере транспорта электронов в полученных структурах.