Аннотация:Работа посвящена определению механизмов генерации, переноса и рекомбинации носителей заря-да в гибридной органо-неорганической системе – полимере поли-3-гексилтиофен с кремниевыминаночастицами (nс-Si). Показано, что, варьируя концентрацию nс-Si, можно в достаточно широкихпределах менять проводимость и фотопроводимость такой системы, добиваясь оптимальных значе-ний для применений в оптоэлектронике (фотодетекторах, солнечных элементах и пр.). Предложенамодель, позволяющая с единой позиции описать фотоэлектрические свойства поли-3-гексилтио-фена, модифицированного nс-Si. В модели предполагается гауссово распределение плотностиэлектронных состояний, по которым осуществляется прыжковый перенос носителей заряда. Влия-ние nс-Si главным образом сказывается на параметрах гауссова распределения плотности электрон-ных состояний и положении уровня Ферми.