Влияние внешних факторов на ширину линии ферромагнитного резонанса в структурах с обменным смещениемстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 сентября 2021 г.
Аннотация:Исследованы внешние факторы, влияющие на ширину линии ферромагнитного резонанса (ФМР) вдвухслойных (ферромагнетик/антиферромагнетик) системах с обменным смещением. Исследованы зависимость ширины линии ФМР от толщины антиферромагнитного (АФ) слоя при неизменной толщинеферромагнитного (Ф) слоя для образцов с различным порядком осаждения Ф- и АФ-слоев, а такжекорреляция между полем обменного смещения и шероховатостью поверхности образца. Обнаружено, чтообменное смещение дает незначительный вклад в ширину линии ФМР. В системах с антиферромагнетиком,нанесенным на ферромагнитный слой, ширина линии ФМР увеличивается пропорционально среднемуразмеру шероховатости поверхности. В системах с обратным расположением слоев значительный вкладв ширину линии дает одноосная анизотропия. Ширина линии ФМР находится в квадратичной зависимостиот одноосной анизотропии и в обратно пропорциональной зависимости от толщины антиферромагнитногослоя, что можно отнести к изменению микроструктуры с толщиной в качестве внешнего факторадемпфирования ФМР.