|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Влияние наноразмерных слоев хемостимулятора-модификатора Mn3(P0.1V0.9O4)2 на процесс термического оксидирования GaAs, состав и морфологию формируемых плёнокстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 ноября 2021 г.
- Авторы: Tomina Elena V., Sladkopevtsev Boris V., Dontsov Aleksey I., Perfileva Lidia I., Mittova Irina Ya
- Журнал: Конденсированные среды и межфазные границы
- Том: 22
- Номер: 1
- Год издания: 2020
- Первая страница: 116
- Последняя страница: 123
- DOI: 10.17308/kcmf.2020.22/2535
- Аннотация: Одним из подходов к формированию функциональных наноразмерных плёнок на поверхности AInBV является хемостимулированное термооксидирование. Для получения требуемого результата необходимо обоснованно выбрать объект, который может выступать в роли хемостимулятора процесса или модификатора структуры и свойств формируемых в результате оксидирования плёнок. Использование сложных соединений, способных совмещать обе эти функции, представляется перспективным. Цель статьи - исследование воздействия наноразмерных слоев хемостимулятора-модификатора Mn3 Mn3(P0.1V0 .904)2 на процесс термического оксидирования GaAs, состав и морфологию формируемых пленок. Объект исследования - арсенид галлия (100) с нанесёнными на его поверхность наноразмерными слоями ванадат -фосфата марганца Mn3(P0.1V0.904)2. С целью увеличения скорости процесса и обеспечения высокой химической гомогенности продукта предлагается микроволновая активация синтеза хемостимулятора-модификатора Mn3(P0.1V0 .904)2 и дальнейшее его нанесение на поверхность полупроводника методом spin-coating. Сформированные гетероструктуры Mn3(P0.1V0.904)2/GaAs термически оксидировали в интервале температур 490-550 °C в течение 60 минут в потоке кислорода. Осуществляли контроль толщины растущих плёнок (методами лазерной и спектральной эллипсометрии), их состав (рентгенофазовый анализ, Оже-электронная спектроскопия) и морфологию поверхности (атомно-силовая микроскопия). Исследования кинетики термооксидирования гетероструктур Mn3(P0.1V0.9O4)2/GaAs показали, что определяющим процессом является твердофазная реакция, лимитируемая диффузией в твердой фазе, и реализуется транзитный характер действия хемостимулятора без каталитического эффекта. Выявлено, что ванадат-фосфат марганца способствует увеличению прироста формируемой пленки в среднем на 70-220% по сравнению с эталонным оксидированием GaAs, приводит к интенсификации вторичных взаимодействий оксидов компонентов подложки с продуктами термолиза Mn3(P0.1V0.904)2 и отсутствию сегрегации мышьяка в плёнке в неокисленном состоянии. При термооксидировании гетероструктур Mn3(P0.1V0. 904)2/GaAs формируются наноразмерные (50-200 нм) плёнки с достаточно выраженным рельефом. Необходимо дальнейшее исследование электрофизических характеристик плёнок, т. к. данные о составе позволяют предположить их диэлектрический характер. Это может быть использовано на практике для формирования на поверхности AIIIBV плёнок функционального назначения с варьируемыми в широких пределах характеристиками.
- Добавил в систему: Донцов Алексей Игоревич