Thermally stimulated currents in MnGaInS4 single crystalsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
Аннотация:Thermally stimulated current measurements indicate that MnGaInS4 single crystals contain fast trapping centers. The trap depths, concentrations, and capture cross sections are determined. The results obtained by the thermal cleaning method demonstrate that the band gap of MnGaInS4 contains two trapping levels with exponential energy distributions: 0.05-0.20 and 0. 16-0.25 eV.