|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
The main characteristics of photodetectors of the photo-resistive type based on a composite of poly 3-hexylthiophene and silicon nanoparticlesстатья
- Авторы: Savin K.A., Ibragimov E.S., Vorontsov A.S., Martyshov M.N., Forsh E.A., Forsh P.A., Novikov I.V.
- Журнал: Moscow University Physics Bulletin
- Том: 76
- Год издания: 2021
- Издательство: Allerton Press
- Местоположение издательства: New York, N.Y., United States
- Первая страница: 80
- Последняя страница: 83
- DOI: 10.3103/S0027134921020107
- Добавил в систему: Савин Константин Антонович