|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
Argon-oxygen ion-plasma treatment modifies the surface composition and photoluminescence spectrum of porous siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kostishko B.M.a, Drozdov A.V.a, Shibaev P.V.b, Kostishko A.E.a
- Журнал: Technical Physics Letters
- Том: 26
- Номер: 10
- Год издания: 2000
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 919
- Последняя страница: 922
- Аннотация: We have studied changes in the surface composition and photoluminescence spectrum of porous silicon (por-Si) during the ion-plasma etching of samples in an argon-oxygen gas mixture. This treatment leads to the passivation of the surface of quantum filaments by residual fluorine and the formation of silicon oxide. The source of fluorine atoms are HF molecules retained in the volume of pores upon the por-Si structure formation by chemical etching. Increase in the fluorine concentration is accompanied by the growth in intensity of the blue-green band and broadening of the red band in the photoluminescence spectrum of por-Si. © 2000 MAIK "Nauka/Interperiodica".
- Добавил в систему: Шибаев Петр Валерьевич