Исследование электронных свойств одиночных нанокристаллов СdTe и CdTe/CdSe в сканирующем туннельном микроскопестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Измерены в сканирующем туннельном микроскопе электронные (вольтамперные) характеристики одиночных нанокристаллов CdTe и нанакристаллов CdTe/CdSe, имеющих форму тетраподов. Обнаружены различные типы вольтамперных характеристик в зависимости от пути протекания тока в нанокристалле. Предложен механизм протекания тока через различные участки тетрапода в туннельном зазоре СТМ, учитывающий деформацию тетрапода электростатическим полем.