Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе неравномерно легированного КНИстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Аннотация:В работе представлены методы изготовления и результаты исследования полевого транзистора на основе кремниевого нанопровода из неравномерно легированного мышьяком кремния на изоляторе (КНИ). Концентрация легирующей примеси изменялась по глубине кремниевого слоя толщиной 100 нм от величины более 1020 см–3 до значений порядка 1017 см–3. Полевой транзистор изготавливался из материала КНИ методами электронной литографии и реактивно-ионного травления. Верхняя высокопроводящая часть кремниевого слоя служила основой для подводящих электродов и контактных площадок. Нижний подслой использовался для формирования полупроводникового канала-нанопровода. Проведены измерения вольт-амперных и затворных характеристик транзисторов при температурах 77 и 300 К. Анализируется возможность использования полевого транзистора на основе кремниевого нанопровода в качестве высокочувствительного локального полевого и зарядового сенсора с нанометровым пространственным разрешением для применений в различных областях физики, техники и медицины.