Критическое поведение полупроводниковых спиновых стекол xCuCr2Se4 - (1-x)Cu0.5Me0.5CrSe4(Me = In, Ga; 0<x,0.1)статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:Экспериментально изучено поведение магнитной восприимчивости в слабых постоянных и переменных магнитных полях в районе точки перехода спиновое стекло - парамагнетик для систем xCuCr2Se4-(1-x)Cu0.5Me0.5Cr2Se4 (Me=In, Ga) Критические индексы гамма, дельта и бета составов с х=0,0,01 и 0.03 (Ме=In), определенные по нелинейной статической восприимчивости в районе температуры замораживания Tf, измеренной по максимуму этой величины, близки к значениям, предсказываемых теорией среднего поля. При этом экспериментальные точки нелинейной восприимчивости удовлетворительно ложатся на скейлинговую функцию в критической области Н<30Э и (T-Tf)/Tf<0.4 Температура замораживания Tfl cпиновых стекол составов с 0<x<0.05 (Me=In, Ga), определенная по максимуму начальной восприимчивости в переменном поле, зависит от частоты измерения по закону Фогеля=Фульхера. Постоянная То в законе Фогеля=Фульхера близка к Tf. Выполнение соотношений статистического скейлинга в законе Фогеля=Фульхера для Tfl, указывает на то, что в данных спиновых стеклах имеет место фазовый переход спиновое стекло-парамагнетик.