Особенности электрических, фотоэлектрических и магнитных свойств монокристаллов CdCr2Se4 с большими добавками Inстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:Изучена температурная зависимость удельного электросопротивления ro(T),фотопроводимости, магнитосопротивления, намагнитченности и парамагнитной восприимчивости монокристаллов Cd(1-x)InxCr2Se4 (0.047=<x<=0.58). Из магнитных измерений обнаружено понижение обменного взаимодействия, которое объясняется нарущениями ферромагнитного порядка вблизи ионов In:3+. Показано, что хотя кривые ro(T) и похожи по форме на соответствующие кривые для невырожденного случая, они имеют более сглаженный характер с менее ярко выраженными максимумом в районе точки Кюри и минимумом в районе 40-60 К, пониженной энергией активации в спин-волновой и парамагнитной областях и меньшей величиной ro. Для узкой области концентраций примеси вблизи состава с х=0.378 обнаружен низкотемпературный переход металл - полупроводник, которому дано объяснение на основе ферронной гипотезы.Обнаружено,что в спин-волновой области на величину ro очень большое действие оказывает магнитное поле и свет. Так поле в 67 кЭ понижает ro на два порядка, тогда как включение света, создающего на поверхности образца освещенность ~ 10 лк - на три порядка. Действие магнитного поля объяснено уменьшением щели подвижности: бестоковые состояния носителей тока на хвосте плотности в запрещенной зоне переводятся в токовые из-за изменения магнитного порядка вблизи ионов In^3+.