|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИСТИНА ИНХС РАН |
||
INVESTIGATING 64ZN+ ION-DOPED SILICON UNDER CONDITIONS OF HOT IMPLANTATIONстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 апреля 2017 г.
- Авторы: Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Kirilenko E.P., Goryachev A.V., Batrakov A.A.
- Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
- Том: 80
- Номер: 2
- Год издания: 2016
- Издательство: Allerton Press Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 149
- Последняя страница: 155
- DOI: 10.3103/S1062873816020246
- Добавил в систему: Затекин Владимир Витальевич