Температурная и магнитно-полевая зависимость удельного электросопротивления монокристаллов CdCr2Se4, легированных Gaстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:Удельное электросопротивление ro монокристаллов Cd(1-x)GaxCr2Se4 (x= 0.017, 0.019, 9.037, 0.048, 0.091) исследовано в области температур 4.2-300 К и магнитных полей 0-50 кЭ. Обнаружена немонотонная зависимость ro(Т) с минимумом ниже точки Кюри Тс и максимумом в районе Тс. Положение максимума на кривой ro(Т)смещается к высоким температурам при увеличении магнитного поля. В районе минимума и частично вблизи максимума обнаружено гигантское отрицательное магнетосопротивление: так величина ro в поле 50 кЭ вблизи Тс была от одного до двух порядков меньше, чем rо при Н=0. Наблюдаемые аномалии приписываются присутствию ферронов в этом составе.