Зонная структура и аномалии фотопроводимости, электросопротивления и магнитосопротивления халькогенидного соединения Cd(1-x)GaxCr2Se4статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:Экспериментально изучена фото- и электропроводность, а также магнито- и фотомагнитосопротивление монокристаллических образцов состава Cd(1-x)GaxCr2Se4 (0<x,0.091). При малых добавках (х<0.01) в ферромагнитной области наблюдается фотопроводимость на два-три порялка выше темновой проводимости.Зависимость фотосопротивления от температуры имеет максимум в районе точки Кюри, тогда как темновое сопротивление ro1 такого максимума не имеет, наблюдается лишь излом кривой ro1(T). На фотосопротивление сильное влияние оказывает магнитное поле, тогда как на ro1 оно почти не действует.Прибольших присадках галлия фотопроводимость быстро исчезает, и при x > 0.019 она практически не наблюдается. Одновременно сс исчезновением фотопроводимости появляется максимум на на кривой ro1(T) и на сопротвление начинает сильно действовать магнитное поле. Указанные аномалии для малых присадок объясняются возникновением под действием света магнитных поляронов, для болбших присадок - наличием флуктуаций намагниченности, возникающих на флуктуациях носителей тока. Подобные состояния носителей тока были предсказаны в теоретических работах Яназе, Касуя, Кривоглаза, Нагаева и Григина. Делается предположение о возможной зонной структуре этого соединения, а также о природе фотоферромагнитного эффекта, наблюдавшегося другими авторами на этих составах.