Аннотация:Описан синтез коллоидных наногетероструктур CdTe/CdSe и CdTe/CdS на основе тетраподов CdTe,покрытых оболочкой CdSe (CdS). Рост оболочки наблюдался на боковых гранях лучей тетрапода, вто время как их длина практически не менялась. Рост оболочки как CdSe, так и CdS приводил ксдвигу люминесценции наногетероструктур в ближний ИК-диапазон до 850 нм с квантовым выходом до 20%. Анализ кинетических зависимостей сдвига полосы экситонного поглощения в ходе роста наногетероструктур показал более быстрый рост облочки CdS по сравнению с CdSe. Зависимость спектрального положения полосы люминесценции от размера оболочки сопоставлена с результатами численного моделирования.